Minggu, 11 Juni 2017

BJT Frekuensi Rendah, Tinggi dan Bertingkat

BAHAN PRESENTASI UNTUK MATAKULIAH ELEKTONIKA 2017
DOSEN PENGAMPU : DARWISON, M.T




1. Penguat satu tingkat pada frekuensi rendah[kembali]


Adapun respon amplifier pada frekuensi rendah adalah seperti gambar 1.1
Dari penguatan H(s) = AVS(s)=Vo(s)/Vs(s)
Dimana,
               s = jw -> HdB = 20 log|H(s)|s=jw
               dB = 10 log (P2/P1-> P = Power
               P= V12/R1
               P2 = V22/R2
Maka
                   dB = 10 log (V22/R2/ V12/R1)  ->  R1 = R2






Gambar 1.1 Respon Amplifier pada frekuensi rendah s/d tinggi



·        Pada frekuensi rendah, XC cukup besar yang dapat menimbulkan rugi tegangan yang cukup berarti pada kapasitor C. Bila keadaan itu sedemikian sehingga XC = R maka didapatkan:




Gambar 1.2 diagram bode |Avi|dB vs f/fl  



Gambar 1.1.1 Rangkaian dan rangkaian ekivalen hybrid л CE Amp

  1. C1 bekerja dan C2 & CE adalah short circuit, maka rangkaian ekivalen menjadi seperti gambar 1.1.2


Gambar 1.1.2 Rangkaian ekivalen dengan C1 bekerja

  


2. C2 bekerja dan C1 & CE adalah short circuit, maka rangkaian ekivalen menjadi seperti gambar 1.1.3

Gambar 1.1.3 Rangkaian ekivalen dengan C2 bekerja


3. CE bekerja dan C1 & C2 adalah short circuit, maka rangkaian ekivalen menjadi seperti gambar 1.1.4

Gambar 1.1.4 Rangkaian ekivalen dengan CE bekerja







Gambar 1.2.1 Rangkaian dan rangkaian ekivalen hybrid л CC Amp



Cara yang sama seperti uraian CE Amp. dilakukan di CC Amp. untuk mencari wc1 dan wc2.
C1 bekerja dan C2 adalah short circuit, maka rangkaian ekivalen menjadi seperti gambar 1.2.2



Gambar 1.2.2 Rangkaian ekivalen dengan C1 bekerja

2. C2 bekerja dan C1 adalah short circuit, maka rangkaian ekivalen menjadi seperti gambar 1.2.3

Gambar 1.2.3 Rangkaian ekivalen dengan C2 bekerja





Gambar 1.3.1 Rangkaian dan rangkaian ekivalen hybrid л CB Amp

Cara yang sama seperti uraian CE Amp. dilakukan di CB Amp. untuk mencari wc1, wc2 dan wc .
1. C1 bekerja dan C2 & C adalah short circuit, maka rangkaian ekivalen menjadi seperti gambar 1.3.2


Gambar 1.3.2 Rangkaian ekivalen dengan C1 bekerja




2.C2 bekerja dan C1 & C adalah short circuit, maka rangkaian ekivalen menjadi seperti gambar 1.3.3



Gambar 1.3.3 Rangkaian ekivalen dengan C2 bekerja

3. C bekerja dan C1 & C2 adalah short circuit, maka rangkaian ekivalen menjadi seperti gambar 1.3.4


Gambar 1.3.4 Rangkaian ekivalen dengan C bekerja


Pada frekuensi tinggi akan menghasilkan kapasitor junction yaitu Cл dan Cµ serta resistansi rx untuk transistor bipolar seperti terlihat pada gambar 2.1



Gambar 2.1 Kapasitor-kapasitor dan resistansi yang mucul akibat frekuensi tinggi













Gambar 2.1.1 Rangkaian dan rangkaian ekivalen hybrid л CE Amp
Untuk mencari Vo maka rangkaian ekivalen disederhanakan lebih dahulu dengan metoda thevenin, seperti gambar 2.1.2




Gambar 2.1.2 Rangkaian dan rangkaian ekivalen hybrid л CE Amp








Gambar 2.1.3 Diagram bode respon frekuensi tinggi Avs vs w



Gambar 2.2.1 Rangkaian dan rangkaian ekivalen hybrid л CB Amp

Didapat dari penurunan rumus:




Gambar 2.2.2 Rangkaian ekivalen hybrid л CE Amp




Gambar 2.3.1 Rangkaian dan rangkaian ekivalen hybrid л CC Amp




Analisa penguat bertingkat dalam contoh berikut memakai rangkaian ekivalen hybrid л untuk CE-CE Amp
Diket:         
vi = -125                      RS = 500 Ω                             RB = 10 Zi
          AVS = -100                     β0 = βdc = 100               VBE = 0,6
          AI  = -60                        VRE = VRC = VCE

Ditanya :
Avs = ? untuk dioperasikan pada frekuensi tinggi, dimana;
rx = 0, Cµ = 2pF dan Cл = 20pF.

Jawab :
Lakukan penyelesaian soal seperti contoh 2 pada penjelasan rangkaian ekivalen hybrid л pada frekuensi menengah. Dihasilkan rangkaian dengan komponen-komponen seperti pada gambar 5.1

Gambar 5.1 Rangkaian CE Amp dan rangkaian ekivalen hybrid л–nya.
Silahkan didownload disini

5. Rangkaian[kembali]
Rangkaian diatas dapat didownload disini, file ini menggunakan MULTISIM 13. 



DAFTAR PUSTAKA


1.    Boylestad, R. and Nashelsky, L., 1999, “Electronic Devices and Circuit Theory”, Prentice Hall, New Jersey.
2.    Hayt, W. H. and Neudeck, G. W., “Electronic Circuit Analysis and Design”, Houghton Mifflin Company, Boston.
3.    Coughlin, R. F. and Driscoll F. F., 1985, “Operational Amplifiers and Linear Integrated Circuits”, Prentice Hall, New Jersey.
4.    Paynter, R. T.,1997, ”Introductory Electronic Devices and Circuits”, Prentice Hall, New Jersey.
5.     Malvino, 1985, “ Aproksimasi Rangkaian Semikonduktor: Pangantar Transistor dan Rangkaian Terpadu”, Penerbit Erlangga.
6.    Mike Tooley, 2002, “ Rangkain Elektronika: Prinsip dan Aplikasi”, Penerbit Erlangga
7.    Darwison, 2008, “Diktat Elektronika Analog”, Teknik Elektro – Unand, Padang.
8.    Darwison, 2011, “Diktat Dasar Elektronika”, Teknik Elektro – Unand, Padang.
9.    Darwison, 2011, “Panduan Praktikum Dasar Elektronika Digital”, Teknik Elektro – Unand, Padang.

Tidak ada komentar:

Posting Komentar